导师信息#北京航空航天大学物理科学与核能工程学院凝聚态物理导师介绍#许怀哲

导师详细信息

姓名：许怀哲

性别：男

出生年份：1963

职称：教授

院系：物理科学与核能工程学院

首次聘任导师时间：2006

现聘任导师一级学科名称：物理学

现聘任导师二级学科名称：凝聚态物理

聘任在第二学科培养博士生专业名称：无

聘任在自主设置学科培养博士生专业名称：无

主要研究方向及特色：1.稀磁性半导体材料 、半导体自旋电子学
、电子自旋量子霍尔效应2.低维半导体结构材料制备、低维半导体光学量子效应和电子量子输运研究3.氧化物基光催化和超导材料电子结构特性第一原理计算4.锂离子电池电极材料物理探索5.第一壁材料核辐照效应实验与理论分析7.

电子信箱：hzxu@bubb.edu.cn

办公电话：010-82337935

办公地点：教学区主楼330

通信地址：北京市海淀区学院路37号

个人简介：

个人情况简介：

许怀哲教授，博导 。兰州大学物理系1984年本科毕业 ，1990年硕士毕业
，1995年凝聚态物理专业博士毕业，获理学博士学位
。1997年6月中国科学技术大学研究生院（北京）博士后出站 ，1997-2000年任中国科学院半导体研究所，半导体材料科学重点实验室副研究员和课题组副组长。1999年元月到2003年4月间
，先后在英国诺丁汉大学（NottinghamUniversity)物理与天文系（ResearchStaff,公派），日本筑波大学(TsukubaUniversity)物理工学系（助手 ，AssistantProfessor）
，美国俄克拉荷马大学(OklahomaUniversity)电机系（ResearchAssociate）等，从事半导体低维材料和红外激光器的分子束外延生长研究 ，在国际上最早实现了InGaAs量子点在GaAs(3110)B衬底上的二维有序生长 。从2003年5月起到2006年5月间
，在日本国东北大学(TohokuUniversity)，电气通讯研究所(RIEC) ，“铁磁半导体之父”---大野英男(HideoOhno)教授研究室
，任职产学官连携研究员(ResearchFellow)，参加了日本文部科学省RR2002ITProgram：“高性能 ，超低消耗电力存储器的开发 ”项目。已经发表论文116篇（第一作者49篇）
，其中SCI收录英文论文87篇（第一作者48篇，APL--6篇,Phys.Rev.B--2篇 ，J.Appl.Phys.--7篇），被引用500余次
。2001和2002年分别发表的在美《Appl.Phys.Lett》上有关自旋电子学器件的论文已成为该领域研究必引的论文（已被他引96次和46次）。作为参加者和主要参加者,曾先后获得国家自然科学二等奖（2001年,排名第11）
，中国科学院自然科学一等奖（2000年，排名第11）和甘肃省省级科技进步一等奖（1995 ，排名第5）和二等奖（1996
，排名第5）各一项 。2006年6月辞职回国，任北京航空航天大学凝聚态物理教授 ，博士生导师
，物理科学与核能工程学院研究生教学副院长
。兼职上海交通大学教育部“微纳技术
”实验室客座教授；教育部“微纳测控与低维物理”实验室教授。目前主要从事有关稀磁性半导体材料中的自旋相关特性，低维半导体结构中的量子自旋电子输运 ，石墨烯能带调控和载流子相对论输运特性研究 。

教学及人才培养情况：

现讲授博士
，硕士研究生《薄膜表面与界面物理》，《凝聚态物理综合课》 ，本科生《电动力学》课程
。现有再读博士研究生4名
，硕士研究生1名，毕业硕士研究生1名。拟每年招收1-2名博士生和1-2名硕士生 。目前承担国家“973 ”重点项目子课题“高容量 、长寿命纳米负极储锂材料制备及应用基础研究”100万元 ，欢迎有志从事低维半导体结构量子特性，半导体自旋电子学和锂离子电池材料物理研究的同学报考
。

毕业博士生：程岩
，长春应用化学研究所博士后。

林鑫，航天材料及工艺研究所 ，北京市丰台区东高地 。

邓红艳
，清华大学物理系博士后
。

王立英,北航材料学院博士后（2015年6月毕业）

陈健，中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后（2015年6月毕业）

毕业硕士生：崔正南 ，亿利资源集团技术中心
，北京市西城区。

陈健，转为博士生

石晓玄 ，csc资助去法国读博士

林鑫
，转为博士生

马姚，恒宝股份有限公司（北京）科技公司 。

王姊程 ，转为博士生

建志旭
，转为（材料与物理学科交叉）博士生。

在读博士生：侯振华，徐建勋 ，王姊程

在读硕士生：周兰青

发表学术论文：

96.J.Chen,HuaizheXu,Y.P.Zhang,“Anisotropicintervalleyplasmonexcitationsingraphene
”,Commn.Thero.Phys.xx,xxxx(2015).

95.S.B.Wang,Y.L.Xing,C.L.Xiao,X.Wei,HuaizheXuandS.C.Zhang,“Hollowcarbon-shell/carbon-nanorodarraysforhighperformanceLi-ionbatteriesandsupercapacitors”,RSCAdv.,5,7959-7963(2015)

94.S.B.Wang,C.L.Xiao,Y.L.Xing,HuaizheXuandS.C.Zhang,“Carbonnanofibers/nanosheetshybridderivedfromcornstalksasasustainableanodeforLi-ionbatteries ”,J.Mater.Chem.A,2015,AdvanceArticle,DOI:10.1039/C5TA00050E,Communication

93.JianxunXu,YiminCui,HuaizheXu,“ImprovementsofdielectricpropertiesofFedopedTbMnO3
”,CeramicsInternational40,12193–12198(2014).

92.ShengbinWang,YalanXing,HuaizheXu,andShichaoZhang,“MnONanoparticlesInterdispersedin3DPorousCarbonFrameworkforHighPerformanceLithium-IonBatteries”ACSAPPL.MATER.INTERFACES,6,12713−12718(2014).

91.L.Y.Wang,HuaizheXu,H.L.WangandH.Pan,Y.P.Zhang,G.L.Zhang“Conductancespin-polarizationfilterinmonolayergraphenewithcombinedmagneto-electricmodulation ”,PhysicE61,185-190(2014).

90.HuaizheXu,L.Y.Wang,Q.Q.Yan,S.C.Zhang,“Spinfilteringmagneticmodulationandspin-polarizationswitchinginhybridferromagnet/semiconductorstructures
”，SciChina-PhysMechAstron,57(6):1057-1062(2014).

89.Y.Cheng,R.Chen,H.F.Feng,W.C.Hao,HuaizheXu,Y.Wang,J.Li,“VariationofcoordinationenvironmentanditseffectonwhitelightemissionpropertyinMn-dopedZnO/ZnScomplexstructure”,PhysicalChemistryChemicalPhysics,16,4544(2014)

88.J.Chen,HuaizheXu,“Directionalplasmonfilteringinatwo-dimensionalelectrongasembeddedinhigh-indexcrystallographicplanes ”,Chin.Phys.Lett.,31,037301(2014).

87.HuaizheXu,L.Y.Wang,H.L.Wang,andS.C.Zhang;“Magneticcontrolspin-polarizationreversalinahybridferromagnet/semiconductorspinfilter
”,J.MagnetismandMagneticMaterials,351,87(2014).

86.Y.Cheng,W.C.Hao,W.X.Li,HuaizheXu,R.Chen,andS.X.Dou,“VariationofMndopantdistributionstatesanditseffectonmagneticcouplingmechanismwithxinZn1-xMnxOnanocrystals”Chin.Phys.B22,107501(2013).

85.X.Lin,H.L.Wang,H.Pan,HuaizheXu,“TheUnconventionalTransportPropertiesofDiracFermionsinGraphyne ”,Chin.Phys.Lett.30,077305(2013).

84.Y.Cheng,W.C.Hao,HuaizheXu,Y.X.Yu,T.M.Wang,R.Chen,L.J.Zhang,Y.Du,X.L.Wang,andS.X.Dou,“ImprovingtheSolubilityofMnandSuppressingtheOxygenVacancyDensityinZn0.98Mn0.02ONanocrystalsviaOctylamineTreatment
”ACSAPPLIEDMATERIALS&INTERFACES,4,4470-4475(2012).

83.H.Y.Deng,W.C.Hao,HuaizheXu,andC.ZWang,“EffectofIntrinsicOxygenVacancyontheElectronicStructureofγ-Bi2O3:First-PrinciplesCalculations”,TheJournalofPhysicalChemistryC116,1251–1255(2012).

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80.W.C.Hao,M.Sun,HuaizheXu,T.M.Wang,“AlDopedZnONanogranularFilmFabricatedbyLBLMethodandItsApplicationforGasSensors
”,J.Nanosci.Nanotechnol.11,10649-10653(2011).AlsoINEC:20103RDINTERNATIONALNANOELECTRONICSCONFERENCE,VOLS1AND2页:1173-1174出版年:2010

79.Q.Q.Yan,J.Chen,H.Pan,HuaizheXu,“Resonanttunnelingindouble-barrierstructuresundertransversemagneticfield”,PhysicaB406，4361-43650(2011).

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77.H.Y.Deng,W.C.Hao,HuaizheXu,“First-principlescalculationsofnovelsillenitecompoundsBi24M2O40(M=SeorTe)
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76.H.Y.Deng,W.C.Hao,HuaizheXu,“ATransitionPhaseintheTransformationfromα-,β-andε-toδ-BismuthOxide”,Chin.Phys.Lett.28,056101(2011).

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74.X.Lin,H.L.Wang,H.Pan,HuaizheXu,“Gapopeningandtuninginsingle-layergraphenewithcombinedelectricandmagneticfieldsmodulation
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73.H.Pan,HuaizheXu,R.Lv,“QuantumpumpinanAharonov-Bohminterferometerwithaquantumdotdrivenbyanacfield”.EuroPhys.J.B78,475-479,(2010).

72.H.Pan,HuaizheXu,R.Lv,“Chargeandspinpumpingeffectsinasingle-dotAharonov-Bohmringwithferromagneticleads ”,PhysicaE43,85-88(2010).

71.X.Lin,H.Pan,HuaizheXu
，“MagneticmanipulationofmasslessDiracfermionsingraphenequantumdot
”,Commn.Thero.Phys.54(6),1134(2010).

70.W.C.Hao,J.J.Li,HuaizheXu,J.O.Wang,T.M.Wang,"EffectsofAnnealingAtmospheresontheFerromagneticOrderingofZn0.95Co0.05ONanocrystalswithSurface-PreferentialCoDistribution",ACSAPPLIEDMATERIALS&INTERFACES,2(7),2053-2059(2010).

69.J.J.Li,W.C.Hao,HuaizheXu,T.M.Wang,andJ.Shi,“EnhancementofferromagnetisminZn0.95Co0.05Ofilmsbylithiumcodoping”,J.Appl.Phys.106,063915(2009).

68.J.J.Li,W.C.Hao,HuaizheXuandT.M.Wang,“VariationofStructuralandMagneticPropertieswithCoDopinginZn1-xCoxONanocrystals ”,J.Appl.Phys.105,053907(2009).

67.H.F.Qi,W.C.Hao,HuaizheXu,J.Y.Zhang,andT.M.Wang,“Synthesisoflarge-sizemonodispersepolystyrenemicrospheresbydispersionpolymerizationwithdropwisemonomerfeedingprocedure
”,ColloidPolymSci.287,243(2009).

66.M.Sun,Y.Du,W.C.Hao,HuaizheXu,Y.X.Yu,andT.M.Wang,“FabricationandWettabilityofZnOnanorodarray”,J.Mater.Sci.Technol.25,53(2009).

65.HuaizheXu,Q.Q.Yan,“Electricaltunableofelectronspinpolarizationinhybridmagnetic–electricbarrierstructures ”,Phys.Lett.A,372，6216(2008).

64.HuaizheXu,“Correlationsbetweenelectronicenergybandspinsplittingandmagneticprofilesymmetryofmagneticsuperlattice”,PhysicaE40,2959(2008).

63.S.Ghosh,D.W.Steuerman,B.Maertz,andD.D.Awschalom,K.Ohtani,HuaizheXu,andH.Ohno,“ElectricalcontrolofspincoherenceinZnO
”,Appl.Phys.Lett.,92,162109(2008).

62.L.Hao,X.G.Diao,HuaizheXu,B.X.Gu,T.M.Wang,“Thicknessdependenceofstructural,electricalandopticalpropertiesofindiumtinoxide(ITO)filmsdepositedonPETsubstrates” ，,Appl.Surf.Sci,254,3504-3508(2008).

61.J.Ma,W.C.Hao,R.Y.LuoandHuaizheXu,“EffectofcrystallizationqualityonferromagnetisminZn1−xCoxOnanopowders ”
，MaterialsLetters,62,403–406(2008).

60.HuaizheXu,Q.Q.YanandT.MWang;“Effectofinteractionbetweenperiodic-dopinginbothwellandbarrierlayersonmodulationofsuperlatticebandstructure
”,Phys.Lett.A,368，324(2007).

59.HuaizheXu,K.Ohtani,M.Yamao,andH.Ohno,“SurfacemorphologiesofhomoepitaxialZnOonZn-andO-polarsubstratesbyplasmaassistedmolecularbeamepitaxy”,Appl.Phys.Lett.89,071918(2006).

58.HongmeiWang,HuaizheXu,YafeiZhang,“Atheoreticalstudyofresonanttunnelingcharacteristicsintriangulardouble-barrierdiodes ”,Phys.Lett.A355,481-488(2006).

57.HuaizheXu,KeitaOhtani,MiyukiYamao,HideoOhno,“ControlofZnO(000)/Al2O3(110)surfacemorphologiesusingplasma-assistedmolecularbeamepitaxy
”,Phys.Stat.Sol.(b)243,773-777(2006).

56.HongmeiWang,HuaizheXuandYafeiZhang,“Indispensablefactorsinfluencethequasi-boundlevelsofbiasedmulti-barrierquantumwellstructures”Phys.Lett.A340,347-354(2005).

55.HuaizheXuandZ.Shi,“Commenton"Effectsofthelocalizedstateinsidethebarrieronresonanttunnelingindouble-barrierquantumwells" ”,Phys.Rev.B69,237201(2004).

54.HuaizheXuandYafeiZhang,“Spin-filterdevicesbasedonresonanttunnelingantisymmetricalmagnetic/semiconductorhybridstructures
”,Appl.Phys.Lett.84,1955(2004)

53.A.Majumdar,HuaizheXu,F.Zhao,J.C.Keay,L.Jayasinghe,S.Khosravani,X.Lu,V.Kelkar,andZ.Shi,“BandgapenergiesandrefractiveindicesofPb1–xSrxSe”,J.Appl.Phys.95,939(2004).

52.HuaizheXu,PijunLiuandYafeiZhang,“Spinpolarizationofphasedelaytimeinamagnetic-electricbarrierstructure ”,Phys.Stat.Sol.(b)240,169-175(2003).

51.HuaizheXu,F.Zhao,A.Majumdar,L.Jayasinghe,andZ.Shi,“Highpowermid-infraredopticallypumpedPbSe/PbSrSemultiple-quantum-wellvertical-cavitysurface-emittinglaseroperationat325K
”,Electron.Lett.39,659(2003).

50.A.Majumdar,HuaizheXu,S.Khosravani,F.Zhao,L.Jayasinghe,andZ.Shi,“HighpowerlightemissionofIV–VIleadsaltmultiple-quantum-wellstructuregrownbymolecular-beamepitaxyon<111>BaF2substrate”,Appl.Phys.Lett.82,493(2003).

49.HuaizheXuandZ.Shi,“Strongwave-vectorfilteringandnearly100%spinpolarizationthroughresonanttunnelingantisymmetricalmagneticstructure ”,Appl.Phys.Lett.81,691(2002).

48.HuaizheXu,PijunLiu,JianshengWuandYafeiZhang,“Resonancequasi-levelsofcouplingbetweentransverseandlongitudinalwavethroughsymmetricaldouble-barrierstructures”,Phys.Lett.A303,25-29(2002).

47.HuaizheXu,K.Akahane,H.Z.Song,Y.OkadaandM.Kawabe,“Effectofbuffercompositiononlateralalignmentofself-assembledIn0.4Ga0.6AsislandarraysgrownonGaAs(311)Bsubstrates
”,J.CrystalGrowth,237-239,1307-1311(2002).

46.HuaizheXu,K.Akahane,H.Z.Song,Y.OkadaandM.Kawabe,“Distinctlydifferenttwo-dimensionalorderingalignmentsofInGaAsislandarraysonGaAs(311)BandAlGaAs(311)Bsurfaces”,J.CrystalGrowth,234,509-515(2002).

45.H.Z.Song,Y.Okada,K.Akahane,HuaizheXU,andM.Kawabe,"NegativedifferentialconductanceofIn0.4Ga0.6As/GaAs(311)Blateralcoupledquantumdot",INSTITUTEOFPHYSICSCONFERENCESERIES(170):381-3862002.

44.HuaizheXuandY.Okada,“Analyticalcalculationoftheresonantquasi-levellifetimeindouble-barrierquantumstructures ”,PhysicaB305,113-120(2001).

43.HuaizheXuandY.Okada,“Doesamagneticbarrieroramagnetic-electricbarrierstructurepossessanyspinpolarizationandspinfilteringunderzerobias?
”,Appl.Phys.Lett.79,3119(2001).

42.WeihongJiang,HuaizheXu,BoXu,WeiZhou,QianGong,DingDing,JibenLiang,andZhanguoWang,“SubstratedependenceofInGaAsquantumdotsgrownbymolecularbeamepitaxy”,J.Vac.Sci.Technol.B19,197(2001)

41.HuaizheXu,K.Akahane,H.Z.Song,Y.OkadaandM.Kawabe,“Spatialalignmentevolutionofself-assembledIn0.4Ga0.6AsislandarraysgrownonGaAs(311)Bsurfacebyatomichydrogen-assistedmolecularbeamepitaxy ”,Appl.Surf.Sci.,185,92-98(2001).

40.HuaizheXu,K.Akahane,H.Z.Song,Y.OkadaandM.Kawabe,“Two-dimensionalorderingarraysofInAsxP1−xislandsformedbyAs/PexchangereactiononInP(311)Bsurface
”,J.CrystalGrowth,233,639-644(2001).

39.HuaizheXu,K.Akahane,H.Z.Song,Y.OkadaandM.Kawabe,“Strikinglywell-definedtwo-dimensionalorderedarraysofIn0.4Ga0.6AsquantumdotsgrownonGaAs(311)Bsurface”,J.CrystalGrowth,223,104-110(2001).

38.HuaizheXu,A.Bell,Z.G.Wang,Y.Okada,M.Kawabe,I.HarrisonandC.T.Foxon,“CompetitionbetweenbandgapandyellowluminescenceinundopedGaNgrownbyMOVPEonsapphiresubstrate ”,J.CrystalGrowth,222,96-103(2001).

37.HuaizheXu,K.Takahashi,C.X.Wang,Z.G.Wang,Y.Okada,M.Kawabe,I.HarrisonandC.T.Foxon,“EffectofinsituthermaltreatmentduringgrowthoncrystalqualityofGaNepilayergrownonsapphiresubstratebyMOVPE
”,J.CrystalGrowth,222,110-117(2001).

36.R.Xia,HuaizhXu,I.Harrison,B.Beaument,A.Andrianov,S.R.A.Dods,J.M.MorganandE.C.Larkins,“Spectrallyresolvedelectroluminescencemicroscopyandμ-electroluminescenceinvestigationofGaN-basedLEDs”,J.CrystalGrowth,230,467-472(2001).

35.K.Akahane,HuaizheXu,Y.OkadaandM.Kawabe,“Formationoflateral-two-dimensionalorderinginself-assembledInGaAsquantumdotonhighindexsubstrates ”,PhysicaE11,94-98(2001).

34.H.Z.Song,K.Akahane,S.Lan,HuaizheXu,Y.Okada,andM.Kawabe,“In-planephotocurrentofself-assembledInxGa1–xAs/GaAs(311)Bquantumdotarrays
”,Phys.Rev.B64,085303(2001).

33.H.Z.Song,Y.Okada,K.Akahane,S.Lan,HuaizheXuandM.Kawabe,“Metal–insulatortransitioninanIn0.4Ga0.6As/GaAs(311)Bquantumdotsuperlattice”,Phys.Lett.A284,130-135(2001).

32.HuaizheXu,Z.G.Wang,M.Kawabe,I.Harrison,B.J.AnsellandC.T.Foxon,“Fabricationandcharacterizationofmetal–semiconductor–metal(MSM)ultravioletphotodetectorsonundopedGaN/sapphiregrownbyMBE ”,J.CrystalGrowth,218,1-6(2000).

31.HuaizheXu,Z.G.Wang,I.Harrison,A.Bell,B.J.Ansell,A.J.Winser,T.S.Cheng,C.T.FoxonandM.Kawabe,“PhotoluminescenceandopticalquenchingofphotoconductivitystudiesonundopedGaNgrownbymolecularbeamepitaxy”,J.CrystalGrowth,217,228-232(2000).

30.W.H.Jiang,X.L.Ye,B.Xu,HuaizheXu,D.Ding,J.B.Liang,andZ.G.Wang“AnomaloustemperaturedependenceofphotoluminescencefromInAsquantumdots
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29.WeihongJiang,HuaizheXu,BoXu,XiaolingYe,WeiZhou,DingDing,JibenLiangandZhanguoWang,“InfluenceofsubstrateorientationonIn0.5Ga0.5As/GaAsquantumdotsgrownbymolecularbeamepitaxy”,PhysicaE8,134-140(2000).

28.W.H.Jiang,HuaizheXu,B.Xu,X.L.Ye,J.Wu,D.Ding,J.B.LiangandZ.G.Wang,“AnnealingeffectonthesurfacemorphologyandphotoluminescenceofInGaAs/GaAsquantumdotsgrownbymolecularbeamepitaxy ”,J.CrystalGrowth,212,365-359(2000).

27.WeiZhou,BoXu,HuaizheXu,WeihongJiang,FengqiLiu,QianGong,DingDing,JibenLiang,ZhanguoWang,ZuomingZhuandGuohuaLi,“PhotoluminescencestudyofInAlAsquantumdotsgrownondifferentlyorientedsurfaces
”J.Vac.Sci.Technol.B18,21(2000).

26.SunZhong-zhe,WuJu,LiuFeng-qi,XuHuaizhe,ChenYong-hai,YeXiao-ling,JiangWei-hong,XuBo,andWangZhan-guo,“StructuralandphotoluminescencepropertiesofIn0.9(Ga/Al)0.1Asself-assembledquantumdotsonInPsubstrate”,J.Appl.Phys.88,533(2000).

25.HuaizheXu,WeihongJiang,BoXu,WeiZhouandZhanguoWang,“Two-dimensionalorderingofself-assembledInxGa1-xAsquantumdotsgrownonGaAs(311)Bsurfaces ”,J.CrystalGrowth,206,279-286(1999).

24.HuaizheXu,WeihongJiang,BoXu,WeiZhouandZhanguoWang,“Two-dimensionalorderingofself-assembledInxGa1-xAsquantumdotsgrownonGaAs(311)Bsurfaces
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23.HuaizheXu,QianGong,BoXu,WeihongJiang,JizhengWang,WeiZhouandZhanguoWang,“Structuralandopticalcharacteristicsofself-organizedInAsquantumdotsgrownonGaAs(311)Asubstrates”,J.CrystalGrowth,200,70-76(1999).

22.HuaizheXu,WeiZhou,BoXu,WeihongJiang,QianGong,DingDingandZhanguoWang,“IncompositiondependenceoflateralorderinginInGaAsquantumdotsgrownon(311)BGaAssubstrates ”,Appl.Surf.Sci.141,101-106(1999).

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20.W.H.Jiang,HuaizheXu,B.Xu,J.Wu,X.L.Ye,H.Y.Liu,W.Zhou,Z.Z.Sun,Y.F.Li,J.B.LiangandZ.G.Wang,“FabricationofInGaAsquantumdotswithanunderlyingInGaAlAslayeronGaAs(100)andhighindexsubstratesbymolecularbeamepitaxy
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